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存贮技术高级培训教程

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更新时间:2024-12-23
课程大纲: 一、 SDRAM 基本结构(1h) 1. 名词解释; 2. SDRAM的物理BANK; 3. 芯片位宽; 二、 SDRAM逻辑BANK(1h) 1. 逻辑BANK与芯片位宽; 2. 内存芯片容量 3. 芯片位宽相关设计技术; 三、 SDRAM的引脚与封装(1h) 1. SDRAM信号(引脚)标准; 2. 54pin TSOP引脚设计; 3. 引脚代号及定义; 4. SDRAM不同型号封装标准; 四、 SDRAM芯片初始化(1h) 1. SDRAM内部结构; 2. SDRAM初始化进程; 3. SDRAM初始化参数设置; 五、 SDRAM工作原理(3h) 1. 行有效; 2. 列读写; 3. 读数据; 4. 写数据; 5. 突发长度; 六、 SDRAM的预充电与刷新操作(1h) 1. 预充电; 2. 刷新; 3. 数据掩码; 4. SDRAM工作流程图解 七、 SDRAM结构、时序与性能关系(1h) 1. 影响性能的主要时序参数 2. 增加PHR方法; 3. 内存结构对PHR影响; 4. 读/写延迟差异对性能影响; 5. BL对性能影响; 八、 DDR SDRAM技术 (2h) 1. DDR含义; 2. DDR基本原理; 3. DDR SDRAM技术特点; 4. 差分CLOCK; 5. DQS; 6. 写延迟; 7. 突发长度与写入掩码; 8. DLL技术; 九、 DDR II 技术 (3h) 1. DDRII 技术特点; 2. DDRII 结构; 3. OCD技术; 4. ODT技术; 5. PCAS; 6. 附加潜伏期; 7. 写入潜伏期; 8. DDRII封装技术; 十、 DDRIII技术(2h) 1. DDRIII技术特点; 2. BL; 3. Timing; 4. Reset 功能; 5. ZQ校准; 6. P2P技术;
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